| 题名 | Hf1-xZrxO2 RRAM Prepared via Co-Sputtering with High Uniformity, Fast Switching Time of 10 ns, and Low Switching Energy of 20 pJ |
| 作者 | |
| 通讯作者 | Mei Shen; Yida Li |
| 发表日期 | 2022-09
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| 会议名称 | 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
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| 会议日期 | 2022-09-27
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| 会议地点 | 日本
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| 学校署名 | 第一
; 通讯
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| 来源库 | 人工提交
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| 成果类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/415850 |
| 专题 | 南方科技大学 工学院_深港微电子学院 |
| 作者单位 | 1.Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China 2.School of Mechanical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China 200240 3.Shenzhen Longsys Electronics Co., Ltd, Shenzhen 518000, China |
| 第一作者单位 | 南方科技大学 |
| 通讯作者单位 | 南方科技大学 |
| 第一作者的第一单位 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
Quanzhou Zhu,Jun Lan,Bing Zhou,et al. Hf1-xZrxO2 RRAM Prepared via Co-Sputtering with High Uniformity, Fast Switching Time of 10 ns, and Low Switching Energy of 20 pJ[C],2022.
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| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | 操作 | |
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