名称 | Influence of High Dose Gamma Irradiation on Electrical Characteristics of Si Photo Detectors (vol 6, pg Q132, 2017) |
作者 | |
发布日期 | 2017
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语种 | 英语
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相关链接 | [来源记录] |
DOI | |
期刊来源 | |
卷号 | 6
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期号 | 10
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页码 | X3-X3
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出版者 | |
ISSN | 2162-8769
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收录类别 | |
学校署名 | 其他
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来源库 | Web of Science
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通讯作者 | Kumar, M. Vinay |
WOS记录号 | WOS:000418367600015
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EI入藏号 | 20174604412158
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引用统计 |
被引频次[WOS]:0
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成果类型 | 其他 |
条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/42245 |
专题 | 工学院_材料科学与工程系 |
作者单位 | 1.Univ Mysore, Dept Studies Phys, Mysore 570006, Karnataka, India 2.Bharathi Coll, Dept Phys PG & RC, Bharathinagara 571422, India 3.Southern Univ Sci & Technol, Dept Mat Sci & Engn, Shenzhen 518055, Peoples R China 4.Interuniv Accelerator Ctr IUAC, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, India 5.ISRO, Lab Electroopt Syst LEOS, Bangalore 560058, Karnataka, India |
推荐引用方式 GB/T 7714 |
Kumar, M. Vinay,Kumar, Santosh,Cheng, Chun,et al. Influence of High Dose Gamma Irradiation on Electrical Characteristics of Si Photo Detectors (vol 6, pg Q132, 2017). 2017-01-01.
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条目包含的文件 | 条目无相关文件。 |
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