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名称

Influence of High Dose Gamma Irradiation on Electrical Characteristics of Si Photo Detectors (vol 6, pg Q132, 2017)

作者
发布日期
2017
语种
英语
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DOI
期刊来源
卷号
6
期号
10
页码
X3-X3
出版者
ISSN
2162-8769
收录类别
SCI ; EI
学校署名
其他
来源库
Web of Science
通讯作者Kumar, M. Vinay
WOS记录号
WOS:000418367600015
EI入藏号
20174604412158
引用统计
被引频次[WOS]:0
成果类型其他
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/42245
专题工学院_材料科学与工程系
作者单位
1.Univ Mysore, Dept Studies Phys, Mysore 570006, Karnataka, India
2.Bharathi Coll, Dept Phys PG & RC, Bharathinagara 571422, India
3.Southern Univ Sci & Technol, Dept Mat Sci & Engn, Shenzhen 518055, Peoples R China
4.Interuniv Accelerator Ctr IUAC, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, India
5.ISRO, Lab Electroopt Syst LEOS, Bangalore 560058, Karnataka, India
推荐引用方式
GB/T 7714
Kumar, M. Vinay,Kumar, Santosh,Cheng, Chun,et al. Influence of High Dose Gamma Irradiation on Electrical Characteristics of Si Photo Detectors (vol 6, pg Q132, 2017). 2017-01-01.
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