名称 | Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer (vol 21, pg 4958, 2013) |
作者 | |
发布日期 | 2013-07-29
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语种 | 英语
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相关链接 | [来源记录] |
DOI | |
期刊来源 | |
卷号 | 21
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期号 | 15
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页码 | 17670-17670
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出版者 | |
ISSN | 1094-4087
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收录类别 | |
学校署名 | 其他
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来源库 | Web of Science
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通讯作者 | Demir, Hilmi Volkan |
WOS记录号 | WOS:000322366300028
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EI入藏号 | 20133216583090
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ESI学科分类 | PHYSICS
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引用统计 |
被引频次[WOS]:2
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成果类型 | 其他 |
条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/42250 |
专题 | 南方科技大学 工学院_电子与电气工程系 |
作者单位 | 1.Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, LUMINOUSI Ctr Excellence Semicond Lighting & Disp, Singapore 639798, Singapore 2.South Univ Sci & Technol, Shenzhen 518055, Guangdong, Peoples R China 3.Nanyang Technol Univ, Sch Phys & Math Sci, Singapore 639798, Singapore 4.Bilkent Univ, Dept Phys, Dept Elect & Elect, TR-06800 Ankara, Turkey 5.Bilkent Univ, UNAM Inst Mat Sci & Nanotechnol, TR-06800 Ankara, Turkey |
推荐引用方式 GB/T 7714 |
Zhang, Zi-Hui,Tan, Swee Tiam,Liu, Wei,et al. Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer (vol 21, pg 4958, 2013). 2013-07-29.
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