| 题名 | 深槽的填充方法及深槽的填充结构 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 瞿学选
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN202110452788.X
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| 申请日期 | 2021-04-26
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| 公开(公告)号 | CN113380696B
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| 公开日期 | 2022-11-15
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| 授权日期 | 2022-11-15
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2022-11-15
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明涉及一种深槽的填充方法及深槽的填充结构。上述深槽的填充方法包括如下步骤：提供具有至少一深槽的半导体衬底，深槽的深宽比小于或等于40；将绝缘件置于半导体衬底上，且绝缘件遮蔽深槽的开口，绝缘件的材质为聚合物材料；对绝缘件进行加热，使绝缘件呈液态；在真空条件下，对绝缘件加压，使液态的绝缘件填充于深槽内，然后固化，在深槽内形成绝缘层。上述深槽的填充方法在深槽内填充绝缘层仅需要几分钟至十几分钟，较传统的化学气相沉积的方法(需要几十个小时)大大节省了沉积时间，提高了生产效率。且以聚合物材料为绝缘件的材料，较传统的以二氧化硅为绝缘层，介电常数相差不大，甚至部分高于二氧化硅，绝缘性好。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种深槽的填充方法及深槽的填充结构。上述深槽的填充方法包括如下步骤：提供具有至少一深槽的半导体衬底，深槽的深宽比小于或等于40；将绝缘件置于半导体衬底上，且绝缘件遮蔽深槽的开口，绝缘件的材质为聚合物材料；对绝缘件进行加热，使绝缘件呈液态；在真空条件下，对绝缘件加压，使液态的绝缘件填充于深槽内，然后固化，在深槽内形成绝缘层。上述深槽的填充方法在深槽内填充绝缘层仅需要几分钟至十几分钟，较传统的化学气相沉积的方法(需要几十个小时)大大节省了沉积时间，提高了生产效率。且以聚合物材料为绝缘件的材料，较传统的以二氧化硅为绝缘层，介电常数相差不大，甚至部分高于二氧化硅，绝缘性好。 |
| CPC分类号 | H01L21/76898
; H01L21/76879
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| IPC 分类号 | H01L21/768
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2022-11-15][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2021-04-26
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| 专利代理人 | 李美
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| 代理机构 | 华进联合专利商标代理有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/428479 |
| 专题 | 公共分析测试中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
瞿学选,马续航,王尧,等. 深槽的填充方法及深槽的填充结构[P]. 2022-11-15.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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