| 题名 | 一种GaN器件及其制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 蒋洋
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN202110745865.0
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| 申请日期 | 2021-07-01
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| 公开(公告)号 | CN113284948B
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| 公开日期 | 2022-10-04
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| 授权日期 | 2022-10-04
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2022-10-04
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层，外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层，金属电极层包括源漏金属层，其中，源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触，形成欧姆接触电极的机理，并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，增大金属电极层与外延层的接触面积，减小欧姆接触电阻，从而降低GaN器件的导通电阻，通过源漏电极区域的刻蚀，实现了低温欧姆接触工艺，提高了GaN器件的整体可靠性。 |
| 其他摘要 | 本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层，外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层，金属电极层包括源漏金属层，其中，源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触，形成欧姆接触电极的机理，并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，增大金属电极层与外延层的接触面积，减小欧姆接触电阻，从而降低GaN器件的导通电阻，通过源漏电极区域的刻蚀，实现了低温欧姆接触工艺，提高了GaN器件的整体可靠性。 |
| CPC分类号 | H01L29/7786
; H01L29/66462
; H01L29/0603
; H01L29/0684
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| IPC 分类号 | H01L29/778
; H01L21/335
; H01L29/06
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2022-10-04][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 2
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| 扩展同族专利数量 | 2
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| 优先权国家 | CN
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| 优先权号 | 202011644679.X
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| 优先权日 | 2020-12-30
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| 专利代理人 | 潘登
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| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/429534 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
蒋洋,唐楚滢,于洪宇,等. 一种GaN器件及其制备方法[P]. 2022-10-04.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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