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题名

单晶铜的制备方法

发明人
第一发明人
邹定鑫
申请人
南方科技大学
第一申请人
南方科技大学
第一申请人地址
518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
当前申请人
南方科技大学
当前申请人地址
518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人
南方科技大学
当前第一申请人地址
518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
申请号
CN202110075702.6
申请日期
2021-01-20
公开(公告)号
CN112899768B
公开日期
2022-09-23
授权日期
2022-09-23
专利状态
授权
法律状态日期
2022-09-23
专利类型
授权发明
学校署名
第一
摘要
本发明属于材料技术领域,具体涉及一种单晶铜的制备方法。本发明单晶铜的制备方法中,通过将多晶铜置于石墨容器中进行退火处理,利用石墨容器的限域空间作用,将退火处理过程中的石英渣、灰尘颗粒等各种杂质隔离在石墨容器的外面,从而避免上述杂质对所得单晶铜造成杂质污染,不仅大大提高了所得单晶铜的表面洁净度和制备效率,而且可以获得大尺寸的单晶铜,使所得单晶铜具有更优异的性能。本发明提供的制备方法操作简单,无需对多晶铜进行复杂多样的表面预处理,有利于实现单晶铜的工业化制备。
其他摘要
本发明属于材料技术领域,具体涉及一种单晶铜的制备方法。本发明单晶铜的制备方法中,通过将多晶铜置于石墨容器中进行退火处理,利用石墨容器的限域空间作用,将退火处理过程中的石英渣、灰尘颗粒等各种杂质隔离在石墨容器的外面,从而避免上述杂质对所得单晶铜造成杂质污染,不仅大大提高了所得单晶铜的表面洁净度和制备效率,而且可以获得大尺寸的单晶铜,使所得单晶铜具有更优异的性能。本发明提供的制备方法操作简单,无需对多晶铜进行复杂多样的表面预处理,有利于实现单晶铜的工业化制备。
CPC分类号
C30B1/02 ; C30B29/02 ; C22F1/08 ; C22F1/02 ; C21D9/46 ; Y02P10/20
IPC 分类号
C30B1/02 ; C30B29/02 ; C22F1/08 ; C22F1/02 ; C21D9/46
INPADOC 法律状态
(+PATENT GRANT)[2022-09-23][CN]
INPADOC 同族专利数量
1
扩展同族专利数量
1
优先权日
2021-01-20
专利代理人
郝文婷
代理机构
深圳中一联合知识产权代理有限公司
相关链接[来源记录]
来源库
PatSnap
成果类型专利
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/430287
专题南方科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
邹定鑫,田圳,张振生,等. 单晶铜的制备方法[P]. 2022-09-23.
条目包含的文件
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