| 题名 | 一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 陈晓龙
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN202010409014.4
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| 申请日期 | 2020-05-14
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| 公开(公告)号 | CN111554780B
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| 公开日期 | 2022-09-20
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| 授权日期 | 2022-09-20
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2022-09-20
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明提供一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法，该中红外发光二极管包括：衬底；发光结构，包括设置在衬底上的黑磷薄膜与二硫化钼薄膜垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与黑磷薄膜和二硫化钼薄膜连接的第一电极和第二电极；其中黑磷薄膜和二硫化钼薄膜的能带关系呈现交错方式的能带排列。本发明通过黑磷薄膜与二硫化钼薄膜进行垂直堆叠形成范德华异质结，这两种材料的能带关系呈现一种交错方式的II型能带排列，可以使异质结中电子和空穴有效分离，从而在电激励的作用下，能有效的调动黑磷薄膜的在中红外区的电致发光，得到简易、高效且硅基兼容性高的新型中红外发光二极管。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法，该中红外发光二极管包括：衬底；发光结构，包括设置在衬底上的黑磷薄膜与二硫化钼薄膜垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与黑磷薄膜和二硫化钼薄膜连接的第一电极和第二电极；其中黑磷薄膜和二硫化钼薄膜的能带关系呈现交错方式的能带排列。本发明通过黑磷薄膜与二硫化钼薄膜进行垂直堆叠形成范德华异质结，这两种材料的能带关系呈现一种交错方式的II型能带排列，可以使异质结中电子和空穴有效分离，从而在电激励的作用下，能有效的调动黑磷薄膜的在中红外区的电致发光，得到简易、高效且硅基兼容性高的新型中红外发光二极管。 |
| CPC分类号 | H01L33/002
; H01L33/005
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| IPC 分类号 | H01L33/00
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2022-09-20][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2020-05-14
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| 专利代理人 | 齐胜杰
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| 代理机构 | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙)
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/430526 |
| 专题 | 工学院_电子与电气工程系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
陈晓龙,王琳,王太宏,等. 一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法[P]. 2022-09-20.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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