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题名

Sub-Surface Layer of Silicon Singe Crystal Periodically Nanostructured by Near-Infrared Femtosecond Laser Pulses

作者
通讯作者Gnilitskyi,Iaroslav
发表日期
2018-07-02
会议录名称
摘要
Structure of subsurface layer beneath silicon single-crystal surface periodically nanostructured by femtosecond laser suggests significant contribution of laser-driven defect generation to formation of periodic surface ripples by few laser pulses in a broad fluence range.
学校署名
其他
语种
英语
相关链接[Scopus记录]
收录类别
EI入藏号
20192006933163
EI主题词
Crystal structure ; Silicon wafers ; Infrared devices ; Laser pulses ; Single crystals
EI分类号
Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2 ; Lasers, General:744.1 ; Crystalline Solids:933.1 ; Crystal Lattice:933.1.1
Scopus记录号
2-s2.0-85065608258
来源库
Scopus
成果类型会议论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/44255
专题工学院_机械与能源工程系
作者单位
1.DISMI, University of Modena and Reggio Emilia (UNIMORE), ,Reggio Emilia,41122,Italy
2.Departmtent of Mechanical and Aerospace Engineering, College of Engineering, University of Missouri, ,Columbia,65211,United States
3.Electron Microscopy Core Facility, University of Missouri, ,Columbia,65211,United States
4.Department of Mechanical and Energy Engineering, Southern University of Science and Technology, ,Shenzhen, Guangdong,518055,China
推荐引用方式
GB/T 7714
Gnilitskyi,Iaroslav,Gruzdev,Vitaly,He,Xiaoqing,et al. Sub-Surface Layer of Silicon Singe Crystal Periodically Nanostructured by Near-Infrared Femtosecond Laser Pulses[C],2018.
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