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题名

Design, fabrication, transfer bonding and active matrix driving of GaN-based micro-LEDs displays

作者
通讯作者Liu, Zhaoiun
发表日期
2018
ISSN
1883-2490
会议录名称
卷号
3
页码
1334-1337
会议地点
Nagoya, Japan
出版者
摘要
We will discuss the development of Micro-LED which attracted increasing attention recently and share our thoughts about how to make better Micro-LEDs and its applications for displays and beyond. The specific technologies including device fabrication and characterization, improvement of electrical uniformity and fine-pitch pixelated-addressed Micro-LED arrays will also be introduced.
© 2018 by Society for Information Display. All rights reserved.
学校署名
第一 ; 通讯
收录类别
EI入藏号
20193707436778
EI主题词
Fabrication ; Flip chip devices ; Gallium nitride ; III-V semiconductors
EI分类号
Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2
来源库
EV Compendex
成果类型会议论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/50986
专题工学院_电子与电气工程系
作者单位
1.Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen; 518055, China
2.State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong
第一作者单位电子与电气工程系
通讯作者单位电子与电气工程系
第一作者的第一单位电子与电气工程系
推荐引用方式
GB/T 7714
Liu, Zhaoiun,Zhang, Ke,Qiu, Chengfeng,et al. Design, fabrication, transfer bonding and active matrix driving of GaN-based micro-LEDs displays[C]:International Display Workshops,2018:1334-1337.
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