| 题名 | 一种基于AlGaN/GaN异质结的位置传感器、制备方法及检测方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 胡来归
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| 申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN201911024036.2
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| 申请日期 | 2019-10-25
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| 公开(公告)号 | CN110808297B
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| 公开日期 | 2021-04-06
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| 授权日期 | 2021-04-06
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| 专利状态 | 未缴年费
; 权利转移
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| 法律状态日期 | 2024-06-21
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 非南科大
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| 摘要 | 本发明提出了一种基于AlGaN/GaN异质结的位置传感器、制备方法及检测方法，其包括衬底，AlGaN/GaN异质结，顶部两侧的金属电极和盖帽层。利用恒定紫外光斑照射位置与器件光电响应之间的关系，实现对光斑位置的定位。本发明采用的AlGaN/GaN异质结，相比硅基光电位置传感器，可以在恶劣环境，如高温、高压等条件下工作，具有光谱选择性感应、对可见与红外的干扰不敏感，分辨率高和响应速度快等优势。 |
| 其他摘要 | 本发明提出了一种基于AlGaN/GaN异质结的位置传感器、制备方法及检测方法，其包括衬底，AlGaN/GaN异质结，顶部两侧的金属电极和盖帽层。利用恒定紫外光斑照射位置与器件光电响应之间的关系，实现对光斑位置的定位。本发明采用的AlGaN/GaN异质结，相比硅基光电位置传感器，可以在恶劣环境，如高温、高压等条件下工作，具有光谱选择性感应、对可见与红外的干扰不敏感，分辨率高和响应速度快等优势。 |
| CPC分类号 | G01B11/00
; G01B11/02
; H01L31/03048
; H01L31/109
; H01L31/1848
; H01L31/1852
; Y02P70/50
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| IPC 分类号 | H01L31/0304
; H01L31/109
; H01L31/18
; G01B11/00
; G01B11/02
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2021-04-06][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2019-10-25
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| 专利代理人 | 阎冬
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| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/520890 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
胡来归,叶怀宇,张国旗. 一种基于AlGaN/GaN异质结的位置传感器、制备方法及检测方法[P]. 2021-04-06.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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