南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法

题名	一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法
发明人	田朋飞; 闫春辉; 林润泽; 方志来; 张国旗
第一发明人	田朋飞
申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人地址	518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
当前申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
当前第一申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前第一申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
申请号	CN201910776876.8
申请日期	2019-08-22
公开(公告)号	CN110600470B
公开日期	2021-10-22
授权日期	2021-10-22
专利状态	授权 ; 权利转移
法律状态日期	2021-10-22
专利类型	授权发明
学校署名	非南科大
摘要	本发明提供一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法，包括：S1：在GaN基激光器衬底层上制备GaN基激光器、在第一衬底上制备第一AlGaN/GaN HEMT外延片；S2：通过干法刻蚀的方式顺序刻蚀获得激光器台面结构、AlGaN/GaN HEMT转移区、及AlGaN/GaN HEMT台面结构；S3：通过湿法刻蚀的方式去除所述第一AlGaN/GaN HEMT外延片的第一衬底，获得第二AlGaN/GaN HEMT外延片；S4：将所述第二AlGaN/GaN HEMT外延片转移至第二衬底，获得第三AlGaN/GaN HEMT外延片；S5：通过粘附材料键合第三AlGaN/GaN HEMT外延片与GaN基激光器；S6：制备钝化层及电极。本发明避免原有制备方法的隔离性差、安全性低的技术问题，实现了器件系统安全性高、耐高频、耐高压、易批量生产的技术效果。
其他摘要	本发明提供一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法，包括：S1：在GaN基激光器衬底层上制备GaN基激光器、在第一衬底上制备第一AlGaN/GaN HEMT外延片；S2：通过干法刻蚀的方式顺序刻蚀获得激光器台面结构、AlGaN/GaN HEMT转移区、及AlGaN/GaN HEMT台面结构；S3：通过湿法刻蚀的方式去除所述第一AlGaN/GaN HEMT外延片的第一衬底，获得第二AlGaN/GaN HEMT外延片；S4：将所述第二AlGaN/GaN HEMT外延片转移至第二衬底，获得第三AlGaN/GaN HEMT外延片；S5：通过粘附材料键合第三AlGaN/GaN HEMT外延片与GaN基激光器；S6：制备钝化层及电极。本发明避免原有制备方法的隔离性差、安全性低的技术问题，实现了器件系统安全性高、耐高频、耐高压、易批量生产的技术效果。
CPC分类号	H01L27/0629 ; H01L29/2003 ; H01L29/778 ; H01S5/34 ; H01S5/34333
IPC 分类号	H01L27/06 ; H01L29/20 ; H01L29/778 ; H01S5/34 ; H01S5/343
INPADOC 法律状态	（+PATENT GRANT）[2021-10-22][CN]
INPADOC 同族专利数量	1
扩展同族专利数量	1
优先权日	2019-08-22
专利代理人	彭随丽
代理机构	北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/521322
专题	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	田朋飞,闫春辉,林润泽,等. 一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法[P]. 2021-10-22.