南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 一种微米级发光二极管芯片及制备方法

题名	一种微米级发光二极管芯片及制备方法
发明人	田朋飞; 闫春辉; 周顾帆; 方志来; 张国旗
第一发明人	田朋飞
申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人地址	518000 广东省深圳市龙华区观湖街道虎地排121号锦绣大地11号楼
当前申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
当前第一申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前第一申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
申请号	CN201910336922.2
申请日期	2019-04-24
公开(公告)号	CN110061107B
公开日期	2020-10-02
授权日期	2020-10-02
专利状态	授权 ; 权利转移
法律状态日期	2020-10-02
专利类型	授权发明
学校署名	非南科大
摘要	本发明提供一种微米级二极管芯片，包括：第一台面，第二台面，氮化镓层，n‑GaN层，应力释放层，多量子阱发光层，p‑GaN层，第一电极，第二电极，绝缘层，所述第一台面与第二台面尺寸不同。本发明避免原有LED输出光功率小，热膨胀率和晶格常数同GaN失配大的技术问题，实现了在同一块芯片上集成了通信，照明，探测等多种功能的同时，光提取效率高的技术效果。
其他摘要	The invention provides a micron-sized diode chip. The micron-sized diode chip comprises a first table surface, a second table surface, a gallium nitride layer, an n-GaN layer, a stress release layer,a multi-quantum-well light-emitting layer, a p-GaN layer, a first electrode, a second electrode and an insulating layer, wherein the sizes of the first table surface and the second table surface are different. The technical problems that an original LED is low in output light power and large in mismatch with GaN in thermal expansion rate and lattice constant are avoided; and the technical effectsof integration of multiple functions of communication, illumination, detection and the like on the same chip, and high light extraction efficiency are achieved.
CPC分类号	H01L33/0075 ; H01L33/06 ; H01L33/32 ; H01L33/325
IPC 分类号	H01L33/00 ; H01L33/06 ; H01L33/32
INPADOC 法律状态	（+PATENT GRANT）[2020-10-02][CN]
INPADOC 同族专利数量	1
扩展同族专利数量	1
优先权日	2019-04-24
专利代理人	李明
代理机构	北京中知法苑知识产权代理有限公司
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/521511
专题	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	田朋飞,闫春辉,周顾帆,等. 一种微米级发光二极管芯片及制备方法[P]. 2020-10-02.