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题名

一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺

发明人
第一发明人
张卫红
申请人
深圳第三代半导体研究院
第一申请人
深圳第三代半导体研究院
第一申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
当前申请人
南方科技大学
当前申请人地址
518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人
南方科技大学
当前第一申请人地址
518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
申请号
CN202010318138.1
申请日期
2020-04-21
公开(公告)号
CN111490028B
公开日期
2022-04-05
授权日期
2022-04-05
专利状态
未缴年费 ; 权利转移
法律状态日期
2024-05-07
专利类型
授权发明
学校署名
非南科大
摘要
本发明提供了一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺,所述铝包铜材料i)核部分是铜,壳部分是铝;ii)核部分厚度尺寸在50nm~50um,壳部分厚度尺寸在5nm~5um。该材料通过施加超声和压力进行焊接。超声焊接的过程短,相比于加热烧结,大大节省封装的工时。氧化铝外层可以满足铜颗粒的抗氧化保护,无需特别外层抗氧化包覆,且可以在超声压力下,该氧化铝层破碎而暴露出新鲜的铝表面而实现铝‑铝结合,这个融合焊接可在较低加热温度甚至室温情况下实现颗粒间的融合。
其他摘要
本发明提供了一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺,所述铝包铜材料i)核部分是铜,壳部分是铝;ii)核部分厚度尺寸在50nm~50um,壳部分厚度尺寸在5nm~5um。该材料通过施加超声和压力进行焊接。超声焊接的过程短,相比于加热烧结,大大节省封装的工时。氧化铝外层可以满足铜颗粒的抗氧化保护,无需特别外层抗氧化包覆,且可以在超声压力下,该氧化铝层破碎而暴露出新鲜的铝表面而实现铝‑铝结合,这个融合焊接可在较低加热温度甚至室温情况下实现颗粒间的融合。
CPC分类号
H01L23/52 ; H01L21/76895 ; H01L2924/01013 ; H01L2924/01029
IPC 分类号
H01L23/52 ; H01L21/768
INPADOC 法律状态
(+PATENT GRANT)[2022-04-05][CN]
INPADOC 同族专利数量
1
扩展同族专利数量
1
优先权日
2020-04-21
专利代理人
彭随丽
代理机构
北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
相关链接[来源记录]
来源库
PatSnap
成果类型专利
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/521522
专题南方科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
张卫红,唐宏浩,叶怀宇,等. 一种低温键合铝包铜材料及其使用工艺[P]. 2022-04-05.
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