| 题名 | 一种发光二极管及其制造方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 蒋振宇
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| 申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观湖街道虎地排121号锦绣大地11号楼
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| 当前申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 当前第一申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 申请号 | CN202011633971.1
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| 申请日期 | 2020-12-31
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| 公开(公告)号 | CN112670386B
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| 公开日期 | 2022-09-20
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| 授权日期 | 2022-09-20
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| 专利状态 | 授权
; 权利转移
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| 法律状态日期 | 2022-09-20
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 非南科大
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| 摘要 | 本申请涉及发光二极管领域，具体公开一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：衬底；发光外延层，包括依次层叠设置于衬底的一侧主表面的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层；多个电极图案，多个电极图案埋设于第一半导体层或第二半导体层中，并相互连接且呈网格状分布。通过上述方式，能够解决现有技术存在的发光二极管电流扩散的不均匀、热扩散的不均匀和光提取的不均匀的技术问题，有效改善电流分布，提高电流分布均匀性。 |
| 其他摘要 | 本申请涉及发光二极管领域，具体公开一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：衬底；发光外延层，包括依次层叠设置于衬底的一侧主表面的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层；多个电极图案，多个电极图案埋设于第一半导体层或第二半导体层中，并相互连接且呈网格状分布。通过上述方式，能够解决现有技术存在的发光二极管电流扩散的不均匀、热扩散的不均匀和光提取的不均匀的技术问题，有效改善电流分布，提高电流分布均匀性。 |
| IPC 分类号 | H01L33/38
; H01L33/00
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2022-09-20][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2020-12-31
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| 专利代理人 | 黎坚怡
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| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/521600 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
蒋振宇,闫春辉. 一种发光二极管及其制造方法[P]. 2022-09-20.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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