| 题名 | Micro-LED芯片及其制造方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 蒋振宇
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| 申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观湖街道虎地排121号锦绣大地11号楼
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| 当前申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 当前第一申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 申请号 | CN201911284951.5
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| 申请日期 | 2019-12-13
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| 公开(公告)号 | CN111081730B
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| 公开日期 | 2022-12-27
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| 授权日期 | 2022-12-27
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| 专利状态 | 授权
; 权利转移
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| 法律状态日期 | 2022-12-27
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 非南科大
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| 摘要 | 本申请公开了一种Micro‑LED芯片及其制造方法，该Micro‑LED芯片包括：第一金属背衬层；第一LED单元，附着且电连接于第一金属背衬层上；第一平坦化层，附着于第一金属背衬层上，并使得第一LED单元远离第一金属背衬层的一侧外露；第二金属背衬层，附着于第一LED单元外围的第一平坦化层上；第二LED单元，附着且电连接于第二金属背衬层上，其中第二LED单元在第一金属背衬层上的投影与第一LED单元在第一金属背衬层上的投影彼此错开。通过上述方式，本申请提供的每个LED芯片包括上下层叠且相互错开的至少第一LED单元与第二LED单元，该Micro‑LED芯片的尺寸紧凑，可以提高LED单元的排布密度，降低Micro‑LED芯片的转移成本。 |
| 其他摘要 | 本申请公开了一种Micro‑LED芯片及其制造方法，该Micro‑LED芯片包括：第一金属背衬层；第一LED单元，附着且电连接于第一金属背衬层上；第一平坦化层，附着于第一金属背衬层上，并使得第一LED单元远离第一金属背衬层的一侧外露；第二金属背衬层，附着于第一LED单元外围的第一平坦化层上；第二LED单元，附着且电连接于第二金属背衬层上，其中第二LED单元在第一金属背衬层上的投影与第一LED单元在第一金属背衬层上的投影彼此错开。通过上述方式，本申请提供的每个LED芯片包括上下层叠且相互错开的至少第一LED单元与第二LED单元，该Micro‑LED芯片的尺寸紧凑，可以提高LED单元的排布密度，降低Micro‑LED芯片的转移成本。 |
| CPC分类号 | H01L27/156
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| IPC 分类号 | H01L27/15
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2022-12-27][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 2
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| 扩展同族专利数量 | 2
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| 优先权日 | 2019-12-13
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| 专利代理人 | 李庆波
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| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/521736 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
蒋振宇,闫春辉. Micro-LED芯片及其制造方法[P]. 2022-12-27.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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