南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 一种栅控PIN结构GaN紫外探测器及其制备方法

题名	一种栅控PIN结构GaN紫外探测器及其制备方法
发明人	仇志军; 叶怀宇; 张国旗
第一发明人	仇志军
申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人地址	518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
当前申请人	南方科技大学
当前申请人地址	518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人	南方科技大学
当前第一申请人地址	518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
申请号	CN201910899567.X
申请日期	2019-09-23
公开(公告)号	CN110660882B
公开日期	2021-05-04
授权日期	2021-05-04
专利状态	授权 ; 权利转移
法律状态日期	2021-05-04
专利类型	授权发明
学校署名	非南科大
摘要	本发明公开了一种栅控PIN结构GaN紫外探测器及其制备方法，包括：1)衬底上依次生长GaN缓冲层和n型掺杂GaN层；2)n型掺杂GaN层上生长本征掺杂GaN层；3)本征掺杂GaN层上生长p型掺杂AlGaN层；4)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面和双台阶；5)在台面和双台阶上淀积钝化层；6)刻蚀钝化层形成电极孔，并沉积金属电极。本发明是基于PIN结构，因此能够实现快速、准确、高灵敏度的紫外光探测；其次，通过侧栅结构施加的电压能够抑制或消除AlGaN/GaN异质界面处的二维电子气的影响，形成理想型的PIN结构探测器，可以提高探测器的响应速度、探测率、灵敏度等性能。
其他摘要	本发明公开了一种栅控PIN结构GaN紫外探测器及其制备方法，包括：1)衬底上依次生长GaN缓冲层和n型掺杂GaN层；2)n型掺杂GaN层上生长本征掺杂GaN层；3)本征掺杂GaN层上生长p型掺杂AlGaN层；4)选择性刻蚀外延层材料形成刻蚀台面和双台阶；5)在台面和双台阶上淀积钝化层；6)刻蚀钝化层形成电极孔，并沉积金属电极。本发明是基于PIN结构，因此能够实现快速、准确、高灵敏度的紫外光探测；其次，通过侧栅结构施加的电压能够抑制或消除AlGaN/GaN异质界面处的二维电子气的影响，形成理想型的PIN结构探测器，可以提高探测器的响应速度、探测率、灵敏度等性能。
CPC分类号	H01L31/022408 ; H01L31/105 ; H01L31/1136 ; H01L31/1848 ; Y02P70/50
IPC 分类号	H01L31/18 ; H01L31/113 ; H01L31/105 ; H01L31/0224
INPADOC 法律状态	（+PATENT GRANT）[2021-05-04][CN]
INPADOC 同族专利数量	1
扩展同族专利数量	1
优先权日	2019-09-23
专利代理人	阎冬 ; 李明
代理机构	北京中知法苑知识产权代理有限公司
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/521794
专题	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	仇志军,叶怀宇,张国旗. 一种栅控PIN结构GaN紫外探测器及其制备方法[P]. 2021-05-04.