| 题名 | 发光二极管及其制造方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 王春
|
| 申请人 | 深圳第三代半导体研究院
|
| 第一申请人 | 深圳第三代半导体研究院
|
| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观湖街道虎地排121号锦绣大地11号楼
|
| 当前申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
|
| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
|
| 当前第一申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
|
| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
|
| 申请号 | CN202011632783.7
|
| 申请日期 | 2020-12-31
|
| 公开(公告)号 | CN112635632B
|
| 公开日期 | 2022-09-20
|
| 授权日期 | 2022-09-20
|
| 专利状态 | 授权
; 权利转移
|
| 法律状态日期 | 2022-09-20
|
| 专利类型 | 授权发明
|
| 学校署名 | 非南科大
|
| 摘要 | 本申请主要是涉及发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底；外延层设置于衬底的一侧主表面上，在外延层背离衬底的一侧形成台面结构，以外露部分第一半导体层；第一电流扩展线和第一焊盘设置于外露的第一半导体层上，并与第一半导体层电连接，其中第一电流扩展线的两端分别与第一焊盘连接，以形成环绕台面结构的闭合的环形结构。本申请的有益效果是：本申请提供的发光二极管不仅可以增加第一半导体层上电流分布的均匀性，还可以降低第一电流扩展线上形成的压降，进而改善发光二极管的发光均匀性及时延性。 |
| 其他摘要 | 本申请主要是涉及发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底；外延层设置于衬底的一侧主表面上，在外延层背离衬底的一侧形成台面结构，以外露部分第一半导体层；第一电流扩展线和第一焊盘设置于外露的第一半导体层上，并与第一半导体层电连接，其中第一电流扩展线的两端分别与第一焊盘连接，以形成环绕台面结构的闭合的环形结构。本申请的有益效果是：本申请提供的发光二极管不仅可以增加第一半导体层上电流分布的均匀性，还可以降低第一电流扩展线上形成的压降，进而改善发光二极管的发光均匀性及时延性。 |
| CPC分类号 | H01L33/387
; H01L33/382
; H01L33/44
; H01L33/0075
; H01L2933/0016
|
| IPC 分类号 | H01L33/38
; H01L33/44
; H01L33/00
|
| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2022-09-20][CN]
|
| INPADOC 同族专利数量 | 1
|
| 扩展同族专利数量 | 1
|
| 优先权日 | 2020-12-31
|
| 专利代理人 | 李庆波
|
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
|
| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
|
| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/522121 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
王春,裴向辉,邵明镜,等. 发光二极管及其制造方法[P]. 2022-09-20.
|
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
| 个性服务 |
| 原文链接 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 导出为Excel格式 |
| 导出为Csv格式 |
| Altmetrics Score |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [王春]的文章 |
| [裴向辉]的文章 |
| [邵明镜]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [王春]的文章 |
| [裴向辉]的文章 |
| [邵明镜]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [王春]的文章 |
| [裴向辉]的文章 |
| [邵明镜]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论