南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 一种氧化水平异质p-n结结构器件及其制备方法

题名	一种氧化水平异质p-n结结构器件及其制备方法
发明人	方志来; 闫春辉; 蒋卓汛; 吴征远; 田朋飞; 张国旗
第一发明人	方志来
申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人地址	518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
当前申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
当前第一申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前第一申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
申请号	CN202010133858.0
申请日期	2020-02-28
公开(公告)号	CN111415978B
公开日期	2022-02-15
授权日期	2022-02-15
专利状态	授权 ; 权利转移
法律状态日期	2022-02-15
专利类型	授权发明
学校署名	非南科大
摘要	本发明公开了一种氧化水平异质p‑n结结构器件及其制备方法，属于半导体器件领域，所述氧化水平异质p‑n结结构器件包括：衬底、n型材料层、嵌入所述n型材料层内部的p型材料层、以及n型材料层和p型材料层上表面上的金属电极。其中，通过在n型材料层上覆盖掩膜物，实现p型材料层的选择性生长，生长结束后可获得水平方向的异质p‑n结结构，所述的p型材料层载流子浓度为1×1011～1×1019/cm3。该发明工艺简单，适用面广，有望扩展诸如氮化镓、氮化铟等III‑V族半导体材料的应用。
其他摘要	本发明公开了一种氧化水平异质p‑n结结构器件及其制备方法，属于半导体器件领域，所述氧化水平异质p‑n结结构器件包括：衬底、n型材料层、嵌入所述n型材料层内部的p型材料层、以及n型材料层和p型材料层上表面上的金属电极。其中，通过在n型材料层上覆盖掩膜物，实现p型材料层的选择性生长，生长结束后可获得水平方向的异质p‑n结结构，所述的p型材料层载流子浓度为1×1011～1×1019/cm3。该发明工艺简单，适用面广，有望扩展诸如氮化镓、氮化铟等III‑V族半导体材料的应用。
CPC分类号	H01L29/78 ; H01L29/0684 ; H01L29/66446 ; H01L21/02565 ; H01L21/02636 ; H01L21/67248 ; H01L21/67253
IPC 分类号	H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/02 ; H01L21/67
INPADOC 法律状态	（+PATENT GRANT）[2022-02-15][CN]
INPADOC 同族专利数量	1
扩展同族专利数量	1
优先权日	2020-02-28
专利代理人	彭随丽
代理机构	北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/522428
专题	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	方志来,闫春辉,蒋卓汛,等. 一种氧化水平异质p-n结结构器件及其制备方法[P]. 2022-02-15.