南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 一种包含p型氧化镓薄层的开关器件及其制备方法

题名	一种包含p型氧化镓薄层的开关器件及其制备方法
发明人	方志来; 闫春辉; 蒋卓汛; 吴征远; 田朋飞; 张国旗
第一发明人	方志来
申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人地址	518051 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
当前申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
当前第一申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前第一申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
申请号	CN201910588240.0
申请日期	2019-07-02
公开(公告)号	CN110379857B
公开日期	2022-01-25
授权日期	2022-01-25
专利状态	授权 ; 权利转移
法律状态日期	2022-01-25
专利类型	授权发明
学校署名	非南科大
摘要	本发明公开了一种包含p型氧化镓薄层的开关器件及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备方法领域，器件包括：衬底、n型氮化镓沟道层、位于所述n型氮化镓沟道层上或部分嵌入所述n型氮化镓沟道层内的p型氧化镓薄层，源电极、漏电极和栅电极，其中所述p型氧化镓薄层氮掺杂含量为1×1011～1×1018/cm3。通过化学气相沉积法在n型氮化镓沟道层上生长p型氧化镓薄膜，在p‑n结内电场和p型氧化镓空穴的作用下，使得n型氮化镓沟道层中的导电沟道有效关闭，实现对场效应晶体管开关特性的提升。本发明制备的包含p型氧化镓薄层的开关器件方法简单，p型氧化镓层的引入优化了器件的开关特性，降低了待机损耗。
其他摘要	本发明公开了一种包含p型氧化镓薄层的开关器件及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备方法领域，器件包括：衬底、n型氮化镓沟道层、位于所述n型氮化镓沟道层上或部分嵌入所述n型氮化镓沟道层内的p型氧化镓薄层，源电极、漏电极和栅电极，其中所述p型氧化镓薄层氮掺杂含量为1×1011～1×1018/cm3。通过化学气相沉积法在n型氮化镓沟道层上生长p型氧化镓薄膜，在p‑n结内电场和p型氧化镓空穴的作用下，使得n型氮化镓沟道层中的导电沟道有效关闭，实现对场效应晶体管开关特性的提升。本发明制备的包含p型氧化镓薄层的开关器件方法简单，p型氧化镓层的引入优化了器件的开关特性，降低了待机损耗。
CPC分类号	H01L29/66969 ; H01L29/78 ; H01L29/1054 ; H01L29/26 ; C23C16/40 ; C23C16/56 ; C23C16/45525 ; C23C16/402 ; C23C14/24 ; C23C14/18 ; C23C16/0245
IPC 分类号	H01L29/78 ; H01L29/26 ; H01L29/10 ; H01L21/34 ; C23C14/18 ; C23C14/24 ; C23C16/02 ; C23C16/40 ; C23C16/455 ; C23C16/56
INPADOC 法律状态	（+PATENT GRANT）[2022-01-25][CN]
INPADOC 同族专利数量	1
扩展同族专利数量	1
优先权日	2019-07-02
专利代理人	彭随丽
代理机构	北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/522437
专题	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	方志来,闫春辉,蒋卓汛,等. 一种包含p型氧化镓薄层的开关器件及其制备方法[P]. 2022-01-25.