南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 一种紫外GaN光源及其制备方法

题名	一种紫外GaN光源及其制备方法
发明人	仇志军; 叶怀宇; 张国旗
第一发明人	仇志军
申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人地址	518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
当前申请人	南方科技大学
当前申请人地址	518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
当前第一申请人	南方科技大学
当前第一申请人地址	518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
申请号	CN202010892026.7
申请日期	2020-08-31
公开(公告)号	CN111816736B
公开日期	2021-01-08
授权日期	2021-01-08
专利状态	未缴年费 ; 权利转移
法律状态日期	2024-06-25
专利类型	授权发明
学校署名	非南科大
摘要	本发明公开了一种紫外GaN光源及其制备方法，属于固体发光器件技术领域，所述制备方法包括：在硅衬底上等间距刻蚀多个圆孔图形，各圆孔图形的深度相同、直径不同；在硅衬底上表面均匀沉积AlN缓冲层；在AlN缓冲层上除去圆孔图形底部的位置，均匀沉积SiO2介质层；在圆孔图形的底部位置生长与圆孔图形尺寸相匹配的GaN量子点；在GaN量子点、SiO2介质层的上表面均匀覆盖Si3N4钝化层，制得紫外GaN光源。本发明采用限域生长方式进行不同大小的GaN量子点生长，具有GaN量子点大小可控、均匀性好、发光波长可控的优点，且能覆盖UVA到UVC的紫外波段，具有宽光谱的优点，具备广泛的工业推广价值，实用性佳。
其他摘要	本发明公开了一种紫外GaN光源及其制备方法，属于固体发光器件技术领域，所述制备方法包括：在硅衬底上等间距刻蚀多个圆孔图形，各圆孔图形的深度相同、直径不同；在硅衬底上表面均匀沉积AlN缓冲层；在AlN缓冲层上除去圆孔图形底部的位置，均匀沉积SiO2介质层；在圆孔图形的底部位置生长与圆孔图形尺寸相匹配的GaN量子点；在GaN量子点、SiO2介质层的上表面均匀覆盖Si3N4钝化层，制得紫外GaN光源。本发明采用限域生长方式进行不同大小的GaN量子点生长，具有GaN量子点大小可控、均匀性好、发光波长可控的优点，且能覆盖UVA到UVC的紫外波段，具有宽光谱的优点，具备广泛的工业推广价值，实用性佳。
CPC分类号	H01L33/007 ; H01L33/06 ; H01L33/32 ; H01L33/44
IPC 分类号	H01L33/00 ; H01L33/06 ; H01L33/44 ; H01L33/32
INPADOC 法律状态	（+PATENT GRANT）[2021-01-08][CN]
INPADOC 同族专利数量	1
扩展同族专利数量	1
优先权日	2020-08-31
专利代理人	彭随丽
代理机构	北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/522450
专题	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	仇志军,叶怀宇,张国旗. 一种紫外GaN光源及其制备方法[P]. 2021-01-08.