题名 | 衬底、LED及其制造方法 |
发明人 | |
第一发明人 | 蒋振宇
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申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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第一申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观湖街道虎地排121号锦绣大地11号楼
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当前申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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当前第一申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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申请号 | CN201911284871.X
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申请日期 | 2019-12-13
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公开(公告)号 | CN110957407B
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公开日期 | 2021-04-09
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授权日期 | 2021-04-09
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专利状态 | 授权
; 权利转移
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法律状态日期 | 2021-04-09
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专利类型 | 授权发明
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学校署名 | 非南科大
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摘要 | 本申请公开了一种衬底、LED及其制造方法。该衬底包括:衬底主体,衬底主体的一侧主表面上设置有彼此间隔排布的多个开孔;多个转移支撑结构,多个转移支撑结构分别对应地设置于开孔内,且彼此间隔排布,其中每个转移支撑结构分别包括填充于开孔内部的支撑柱以及与支撑柱连接且突出于衬底主体的主表面的支撑头,转移支撑结构针对特定蚀刻剂的耐受度大于衬底主体。通过上述方式,本申请提供的衬底能够在后续生成LED单元后通过对衬底主体进行蚀刻,而利用转移支撑结构相对于衬底主体悬空支撑LED单元,减小LED单元与衬底之间的附着力,降低分离和转移难度。进一步,上述方式可以提高LED单元在衬底上的排布密度,减少LED芯片面积的损失,降低LED的制造成本。 |
其他摘要 | 本申请公开了一种衬底、LED及其制造方法。该衬底包括:衬底主体,衬底主体的一侧主表面上设置有彼此间隔排布的多个开孔;多个转移支撑结构,多个转移支撑结构分别对应地设置于开孔内,且彼此间隔排布,其中每个转移支撑结构分别包括填充于开孔内部的支撑柱以及与支撑柱连接且突出于衬底主体的主表面的支撑头,转移支撑结构针对特定蚀刻剂的耐受度大于衬底主体。通过上述方式,本申请提供的衬底能够在后续生成LED单元后通过对衬底主体进行蚀刻,而利用转移支撑结构相对于衬底主体悬空支撑LED单元,减小LED单元与衬底之间的附着力,降低分离和转移难度。进一步,上述方式可以提高LED单元在衬底上的排布密度,减少LED芯片面积的损失,降低LED的制造成本。 |
CPC分类号 | H01L21/78
; H01L33/0066
; H01L33/0075
; H01L33/22
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IPC 分类号 | H01L33/22
; H01L33/00
; H01L21/78
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INPADOC 法律状态 | (+PATENT GRANT)[2021-04-09][CN]
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INPADOC 同族专利数量 | 2
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扩展同族专利数量 | 2
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优先权日 | 2019-12-13
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专利代理人 | 李庆波
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代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
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相关链接 | [来源记录] |
来源库 | PatSnap
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成果类型 | 专利 |
条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/522971 |
专题 | 南方科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 |
蒋振宇,闫春辉. 衬底、LED及其制造方法[P]. 2021-04-09.
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条目包含的文件 | 条目无相关文件。 |
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