南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 一种正装集成单元二极管芯片

题名	一种正装集成单元二极管芯片
发明人	蒋振宇; 闫春辉
第一发明人	蒋振宇
申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人地址	518000 广东省深圳市龙华区观湖街道虎地排121号锦绣大地11号楼
当前申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
当前第一申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前第一申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
申请号	CN201910379235.9
申请日期	2019-05-08
公开(公告)号	CN111916539B
公开日期	2022-04-19
授权日期	2022-04-19
专利状态	授权 ; 权利转移
法律状态日期	2022-04-19
专利类型	授权发明
学校署名	非南科大
摘要	本发明提供一种正装集成单元二极管芯片，包括第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极和第二导电类型电极之间的二极管台面结构；二极管台面结构包括n个二极管单元，其中，n≥2。n个二极管单元包括位于第一导电类型层上的量子阱有源区，位于量子阱有源区上的第二导电类型层，位于第一导电类型层上并部分覆盖第二导电类型层的绝缘介质层，位于第二导电类型层上并部分覆盖绝缘介质层的透明电极，其中，第二导电类型电极位于绝缘介质层上并部分覆盖透明电极。本发明解决了现有技术存在的透明电极厚度限制电流横向扩散和LED出光效率的问题，提高了单位面积单元二极管芯片的流明输出，降低了流明成本。
其他摘要	本发明提供一种正装集成单元二极管芯片，包括第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极和第二导电类型电极之间的二极管台面结构；二极管台面结构包括n个二极管单元，其中，n≥2。n个二极管单元包括位于第一导电类型层上的量子阱有源区，位于量子阱有源区上的第二导电类型层，位于第一导电类型层上并部分覆盖第二导电类型层的绝缘介质层，位于第二导电类型层上并部分覆盖绝缘介质层的透明电极，其中，第二导电类型电极位于绝缘介质层上并部分覆盖透明电极。本发明解决了现有技术存在的透明电极厚度限制电流横向扩散和LED出光效率的问题，提高了单位面积单元二极管芯片的流明输出，降低了流明成本。
CPC分类号	H01L33/145 ; H01L33/42 ; H01L33/62 ; H01L33/642 ; H01L27/156
IPC 分类号	H01L33/14 ; H01L33/42 ; H01L33/62 ; H01L33/64 ; H01L27/15
INPADOC 法律状态	（+PATENT GRANT）[2022-04-19][CN]
INPADOC 同族专利数量	3
扩展同族专利数量	3
优先权日	2019-05-08
专利代理人	彭随丽
代理机构	北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/532756
专题	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	蒋振宇,闫春辉. 一种正装集成单元二极管芯片[P]. 2022-04-19.