南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 一种氧化镓纳米材料转移方法

题名	一种氧化镓纳米材料转移方法
发明人	方志来; 闫春辉; 蒋卓汛; 吴征远; 田朋飞; 张国旗
第一发明人	方志来
申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人地址	518051 广东省深圳市西丽大学城学苑大道1088号台州楼
当前申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
当前第一申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前第一申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
申请号	CN201910229873.2
申请日期	2019-03-25
公开(公告)号	CN109950135B
公开日期	2021-10-08
授权日期	2021-10-08
专利状态	授权 ; 权利转移
法律状态日期	2021-10-08
专利类型	授权发明
学校署名	非南科大
摘要	本发明属于半导体技术领域，特别涉及纳米材料的分离方法。本发明提供一种氧化镓纳米材料转移方法，包括：在第一衬底上生长氧化镓纳米材料；在第二衬底上生长介质层，所述第二衬底为转移目标层；以特定大小力将第一衬底上的氧化镓纳米材料压合至介质层，将第一衬底层抬起，即可在第二衬底上的介质层表面观测到转移出来的氧化镓纳米材料。本发明操作简单，重复率高，能有效地分离出氧化镓材料生长中所产生的大面积氧化剂纳米片和纳米带，对氧化镓材料表征分析以及氧化镓基器件的制备都有促进作用。
其他摘要	本发明属于半导体技术领域，特别涉及纳米材料的分离方法。本发明提供一种氧化镓纳米材料转移方法，包括：在第一衬底上生长氧化镓纳米材料；在第二衬底上生长介质层，所述第二衬底为转移目标层；以特定大小力将第一衬底上的氧化镓纳米材料压合至介质层，将第一衬底层抬起，即可在第二衬底上的介质层表面观测到转移出来的氧化镓纳米材料。本发明操作简单，重复率高，能有效地分离出氧化镓材料生长中所产生的大面积氧化剂纳米片和纳米带，对氧化镓材料表征分析以及氧化镓基器件的制备都有促进作用。
IPC 分类号	H01L21/02 ; H01L21/78
INPADOC 法律状态	（+PATENT GRANT）[2021-10-08][CN]
INPADOC 同族专利数量	1
扩展同族专利数量	1
优先权日	2019-03-25
专利代理人	彭随丽
代理机构	北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/533764
专题	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	方志来,闫春辉,蒋卓汛,等. 一种氧化镓纳米材料转移方法[P]. 2021-10-08.