| 题名 | 一种发光二极管 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 闫春辉
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| 申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观湖街道虎地排121号锦绣大地11号楼
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| 当前申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 当前第一申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 申请号 | CN201911304252.2
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| 申请日期 | 2019-12-17
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| 公开(公告)号 | CN112993109B
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| 公开日期 | 2022-09-02
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| 授权日期 | 2022-09-02
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| 专利状态 | 授权
; 权利转移
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| 法律状态日期 | 2022-09-02
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 非南科大
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| 摘要 | 本申请公开了一种发光二极管，包括：衬底；发光外延层，包括依次层叠设置于衬底上的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层；第一电极和第二电极，分别与第一半导体层和第二半导体层电连接。第一电极和第二电极在衬底上的投影彼此错开，发光外延层的至少部分发光区域内的任意一发光点在衬底上的投影与第一电极在衬底上的投影和第二电极在衬底上的投影的最短间隔距离之和不大于120微米，发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例不大于72％，且第一半导体层和第二半导体层均是采用基于氮化铟镓体系的材料。通过上述方式，本申请能够有效改善电流分布的均匀性，进而提升发光二极管的流明密度和流明效率，降低流明成本。 |
| 其他摘要 | 本申请公开了一种发光二极管，包括：衬底；发光外延层，包括依次层叠设置于衬底上的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层；第一电极和第二电极，分别与第一半导体层和第二半导体层电连接。第一电极和第二电极在衬底上的投影彼此错开，发光外延层的至少部分发光区域内的任意一发光点在衬底上的投影与第一电极在衬底上的投影和第二电极在衬底上的投影的最短间隔距离之和不大于120微米，发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例不大于72％，且第一半导体层和第二半导体层均是采用基于氮化铟镓体系的材料。通过上述方式，本申请能够有效改善电流分布的均匀性，进而提升发光二极管的流明密度和流明效率，降低流明成本。 |
| CPC分类号 | H01L33/32
; H01L33/36
; H01L33/38
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| IPC 分类号 | H01L33/32
; H01L33/36
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| INPADOC 法律状态 | （TRANSFER OF PATENT RIGHT）[2023-04-25][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 2
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| 扩展同族专利数量 | 2
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| 优先权日 | 2019-12-17
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| 专利代理人 | 李庆波
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| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/537385 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
闫春辉,蒋振宇. 一种发光二极管[P]. 2022-09-02.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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