| 题名 | 一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 方志来
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| 申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人地址 | 518051 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
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| 当前申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前申请人地址 | 518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 当前第一申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前第一申请人地址 | 518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 申请号 | CN201910588142.7
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| 申请日期 | 2019-07-02
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| 公开(公告)号 | CN110350028B
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| 公开日期 | 2022-04-05
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| 授权日期 | 2022-04-05
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| 专利状态 | 授权
; 权利转移
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| 法律状态日期 | 2022-04-05
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 非南科大
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| 摘要 | 本发明公开了一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法，在化学气相沉积设备中，通过热氧化生长的方式，在特定氧含量的环境下，自氮化镓薄膜上表面向氮化镓薄膜下表面生长氮掺杂的氧化镓薄膜。该制备方法工艺简单，可控性好，重复率高，氧化镓薄膜粗糙度低且生长迅速。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法，在化学气相沉积设备中，通过热氧化生长的方式，在特定氧含量的环境下，自氮化镓薄膜上表面向氮化镓薄膜下表面生长氮掺杂的氧化镓薄膜。该制备方法工艺简单，可控性好，重复率高，氧化镓薄膜粗糙度低且生长迅速。 |
| CPC分类号 | H01L29/12
; H01L29/20
; H01L29/207
; H01L29/66409
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| IPC 分类号 | H01L29/12
; H01L29/20
; H01L29/207
; H01L21/336
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| INPADOC 法律状态 | （TRANSFER OF PATENT RIGHT）[2023-04-25][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2019-07-02
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| 专利代理人 | 彭随丽
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| 代理机构 | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/537965 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
方志来,蒋卓汛,闫春辉,等. 一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法[P]. 2022-04-05.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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