| 题名 | 一种大尺寸单晶β-氧化镓纳米带的制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 方志来
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| 申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人地址 | 518051 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
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| 当前申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前申请人地址 | 518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 当前第一申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前第一申请人地址 | 518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 申请号 | CN201910261513.0
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| 申请日期 | 2019-04-02
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| 公开(公告)号 | CN109881246B
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| 公开日期 | 2020-09-22
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| 授权日期 | 2020-09-22
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| 专利状态 | 授权
; 权利转移
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| 法律状态日期 | 2020-09-22
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 非南科大
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| 摘要 | 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种大尺寸单晶β‑氧化镓纳米带结构及其制备方法，包括：首先在氮化镓薄膜表面镀上催化薄层；放置入化学气相沉积设备，先热退火覆盖催化薄层的氮化镓薄膜；然后通过热氧化生长方法，在少氧条件下于氮化镓薄膜上先生长出{‑201}单晶氧化镓纳米线；再利用富镓/少氧的生长条件，在纳米线侧面实现选择性侧向从而生长获得大尺寸单晶β‑氧化镓纳米带。该制备方法工艺简单，普适性重复性好，不仅可以克服催化生长氧化镓纳米材料的晶相各异的缺点，且生长所得的氧化镓纳米带厚度可控，产量高，还可以稳定地转移到各类衬底上，用于各类新型氧化镓基器件的制备。 |
| 其他摘要 | The invention belongs to the technical field of semiconductor materials, and particularly relates to a large-size single crystal beta-gallium oxide nanobelt structure and a preparation method thereof.The preparation method comprises: firstly plating a catalytic thin layer on the surface of a gallium nitride film; placing into a chemical vapor deposition device, and thermally annealing the galliumnitride thin film covered with the catalytic thin layer; growing a {-201} single crystal gallium oxide nanowire on the gallium nitride film under a less oxygen condition by a thermal oxidation growthmethod; by utilizing the growth condition of rich gallium/less oxygen, selectively growing in a side direction on the side face of the nanowire to obtain the large-sized single crystal beta-gallium oxide nanobelt. The preparation method has the advantages of simple process and good universality and repeatability, can overcome the disadvantage of different crystal phases of a catalytically grown gallium oxide nano material, the grown gallium oxide nanobelt controllable in thickness, is high in yield, and the can be stably transferred on various substrates for the preparation of various novel gallium oxide based devices. |
| IPC 分类号 | C30B25/02
; C30B29/16
; C30B29/64
; C30B33/02
; C23C16/40
; B82Y30/00
; B82Y40/00
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| INPADOC 法律状态 | （TRANSFER OF PATENT RIGHT）[2023-04-25][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2019-04-02
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| 专利代理人 | 李明
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| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/538209 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
方志来,蒋卓汛,吴征远,等. 一种大尺寸单晶β-氧化镓纳米带的制备方法[P]. 2020-09-22.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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