| 题名 | 发光二极管及其制造方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 王春
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| 申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观湖街道虎地排121号锦绣大地11号楼
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| 当前申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 当前第一申请人 | 纳微朗科技(深圳)有限公司
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
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| 申请号 | CN202011632832.7
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| 申请日期 | 2020-12-31
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| 公开(公告)号 | CN112635633B
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| 公开日期 | 2022-06-24
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| 授权日期 | 2022-06-24
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| 专利状态 | 授权
; 权利转移
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| 法律状态日期 | 2022-06-24
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 非南科大
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| 摘要 | 本申请主要是涉及发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底；外延层设置于衬底的一侧主表面上，在外延层背离衬底的一侧沿外延层边缘设置有外露其第一半导体层的凹槽，凹槽具有朝向外延层内部的内侧槽壁及朝向外延层边缘的外侧槽壁；第一电流扩展线设置于内侧槽壁和外侧槽壁之间，并与第一半导体层电连接。本申请提供的发光二极管通过在外延层背离衬底的一侧沿外延层边缘设置外露第一半导体层的凹槽，并将与第一半导体层电连接的第一电流扩展线也设置在凹槽内，使得第一电流扩展线能够被外延层内外夹设，以有效地避免第一电流扩展线在制造过程及后续的切割过程中被刮伤，进而增加第一电流扩展线的可靠性及其外观品质。 |
| 其他摘要 | 本申请主要是涉及发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底；外延层设置于衬底的一侧主表面上，在外延层背离衬底的一侧沿外延层边缘设置有外露其第一半导体层的凹槽，凹槽具有朝向外延层内部的内侧槽壁及朝向外延层边缘的外侧槽壁；第一电流扩展线设置于内侧槽壁和外侧槽壁之间，并与第一半导体层电连接。本申请提供的发光二极管通过在外延层背离衬底的一侧沿外延层边缘设置外露第一半导体层的凹槽，并将与第一半导体层电连接的第一电流扩展线也设置在凹槽内，使得第一电流扩展线能够被外延层内外夹设，以有效地避免第一电流扩展线在制造过程及后续的切割过程中被刮伤，进而增加第一电流扩展线的可靠性及其外观品质。 |
| CPC分类号 | H01L33/387
; H01L33/382
; H01L33/44
; H01L33/0075
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| IPC 分类号 | H01L33/38
; H01L33/44
; H01L33/00
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| INPADOC 法律状态 | （TRANSFER OF PATENT RIGHT）[2023-04-28][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2020-12-31
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| 专利代理人 | 李庆波
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| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/538796 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
王春,裴向辉,邵明镜,等. 发光二极管及其制造方法[P]. 2022-06-24.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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