南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 一种p型氮掺杂氧化镓薄膜及其制备方法

题名	一种p型氮掺杂氧化镓薄膜及其制备方法
发明人	方志来; 蒋卓汛; 闫春辉; 吴征远; 张国旗
第一发明人	方志来
申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人地址	518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
当前申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
当前第一申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前第一申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
申请号	CN202010059433.X
申请日期	2020-01-19
公开(公告)号	CN111341839B
公开日期	2022-01-25
授权日期	2022-01-25
专利状态	授权 ; 权利转移
法律状态日期	2022-01-25
专利类型	授权发明
学校署名	非南科大
摘要	本发明公开了一种p型氮掺杂氧化镓薄膜及其制备方法，通过热氧化生长，自氮化镓薄膜上表面向氮化镓薄膜下表面扩散生长p型氧化镓薄膜，制得的p型氧化镓薄膜载流子浓度为1.0×1011/cm3～1.0×1020/cm3，薄膜表面粗糙度为1nm‑100nm，膜电阻率≤100Ω·cm。该发明提供了一种工艺简单且可重复稳定制备p型氧化镓薄膜的方法，制备的p型氧化镓薄膜氮掺杂含量高、载流子浓度高、迁移率高、电阻率低，提升了p型氧化镓材料的质量，推动了氧化镓材料的产业化进程。
其他摘要	本发明公开了一种p型氮掺杂氧化镓薄膜及其制备方法，通过热氧化生长，自氮化镓薄膜上表面向氮化镓薄膜下表面扩散生长p型氧化镓薄膜，制得的p型氧化镓薄膜载流子浓度为1.0×1011/cm3～1.0×1020/cm3，薄膜表面粗糙度为1nm‑100nm，膜电阻率≤100Ω·cm。该发明提供了一种工艺简单且可重复稳定制备p型氧化镓薄膜的方法，制备的p型氧化镓薄膜氮掺杂含量高、载流子浓度高、迁移率高、电阻率低，提升了p型氧化镓材料的质量，推动了氧化镓材料的产业化进程。
CPC分类号	H01L29/24 ; H01L21/02565 ; H01L21/02614 ; H01L29/7869 ; H01L29/66969 ; H01L31/0321 ; H01L31/1085 ; H01L31/18 ; Y02P70/50
IPC 分类号	H01L29/24 ; H01L21/02 ; H01L29/786 ; H01L21/34 ; H01L31/032 ; H01L31/108 ; H01L31/18
INPADOC 法律状态	（TRANSFER OF PATENT RIGHT）[2023-04-25][CN]
INPADOC 同族专利数量	1
扩展同族专利数量	1
优先权日	2020-01-19
专利代理人	彭随丽
代理机构	北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/538867
专题	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	方志来,蒋卓汛,闫春辉,等. 一种p型氮掺杂氧化镓薄膜及其制备方法[P]. 2022-01-25.