| 题名 | 一种基于GaN/rGO异质结的柔性光电传感器及其制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 胡来归
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| 申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人 | 深圳第三代半导体研究院
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| 第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN202010218649.6
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| 申请日期 | 2020-03-25
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| 公开(公告)号 | CN111509083B
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| 公开日期 | 2022-01-25
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| 授权日期 | 2022-01-25
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| 专利状态 | 授权
; 权利转移
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| 法律状态日期 | 2022-01-25
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 非南科大
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| 摘要 | 本发明提出了一种基于GaN/rGO异质结的柔性光电传感器，其包括正方形柔性衬底，粘合层，GaN层，rGO层，沿四条边的四个条形电极。本发明利用GaN/rGO异质结的内建电场，分离光斑照射产生的电子‑空穴对，并在器件表面电阻层rGO产生横向光电响应，该响应与入射光斑的位置、光强及器件的弯曲程度或压电效应相关，可实现一个器件多种用途。区别于传统的硅基光电传感器，该发明可根据需求，测量三种物理量，即光斑位置、光强和外部力学刺激。 |
| 其他摘要 | 本发明提出了一种基于GaN/rGO异质结的柔性光电传感器，其包括正方形柔性衬底，粘合层，GaN层，rGO层，沿四条边的四个条形电极。本发明利用GaN/rGO异质结的内建电场，分离光斑照射产生的电子‑空穴对，并在器件表面电阻层rGO产生横向光电响应，该响应与入射光斑的位置、光强及器件的弯曲程度或压电效应相关，可实现一个器件多种用途。区别于传统的硅基光电传感器，该发明可根据需求，测量三种物理量，即光斑位置、光强和外部力学刺激。 |
| CPC分类号 | H01L31/18
; H01L31/109
; H01L31/1892
; H01L31/1896
; H01L31/03926
; H01L31/022408
; H01L31/035281
; Y02P70/50
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| IPC 分类号 | H01L31/18
; H01L31/0392
; H01L31/0224
; H01L31/0352
; H01L31/109
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| INPADOC 法律状态 | （TRANSFER OF PATENT RIGHT）[2023-04-25][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2020-03-25
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| 专利代理人 | 彭随丽
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| 代理机构 | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/539098 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
胡来归,叶怀宇,张国旗. 一种基于GaN/rGO异质结的柔性光电传感器及其制备方法[P]. 2022-01-25.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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