南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 一种薄膜垂直集成单元二极管芯片

题名	一种薄膜垂直集成单元二极管芯片
发明人	闫春辉; 蒋振宇
第一发明人	闫春辉
申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人	深圳第三代半导体研究院
第一申请人地址	广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
当前申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
当前第一申请人	纳微朗科技(深圳)有限公司
当前第一申请人地址	518109 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409 (广东,深圳,龙华区)
申请号	CN201911354891.X
申请日期	2019-12-25
公开(公告)号	CN113036009B
公开日期	2022-07-05
授权日期	2022-07-05
专利状态	授权 ; 权利转移
法律状态日期	2022-07-05
专利类型	授权发明
学校署名	非南科大
摘要	本发明提供一种薄膜垂直集成单元二极管芯片，包括：保护金属层，反射镜，第二导电类型层，第二导电类型电极，量子阱有源区，第一导电类型层，绝缘介质层，第一导电类型电极，及远离第一导电类型电极的一侧形成n个二极管台面结构和沟槽结构，沟槽结构位于二极管单元之间；相邻二极管单元在垂直于所述第二导电类型电极线延伸方向上的距离根据电流扩散长度确定。本发明提供的薄膜二极管芯片大大降低了二极管芯片厚度，提高了二极管芯片散热性能的同时解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。
其他摘要	本发明提供一种薄膜垂直集成单元二极管芯片，包括：保护金属层，反射镜，第二导电类型层，第二导电类型电极，量子阱有源区，第一导电类型层，绝缘介质层，第一导电类型电极，及远离第一导电类型电极的一侧形成n个二极管台面结构和沟槽结构，沟槽结构位于二极管单元之间；相邻二极管单元在垂直于所述第二导电类型电极线延伸方向上的距离根据电流扩散长度确定。本发明提供的薄膜二极管芯片大大降低了二极管芯片厚度，提高了二极管芯片散热性能的同时解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。
CPC分类号	H01L33/20 ; H01L33/382 ; H01L33/642 ; H01L33/145
IPC 分类号	H01L33/20 ; H01L33/38 ; H01L33/14 ; H01L33/64
INPADOC 法律状态	（TRANSFER OF PATENT RIGHT）[2023-04-25][CN]
INPADOC 同族专利数量	1
扩展同族专利数量	1
优先权日	2019-12-25
专利代理人	彭随丽
代理机构	北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙)
相关链接	[来源记录]
来源库	PatSnap
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/540541
专题	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	闫春辉,蒋振宇. 一种薄膜垂直集成单元二极管芯片[P]. 2022-07-05.