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题名

A Fully-Integrated LDO with Two-Stage Cross-Coupled Error Amplifier for High-Speed Communications in 28-nm CMOS

作者
DOI
发表日期
2023
ISSN
0271-4302
ISBN
978-1-6654-5110-9
会议录名称
卷号
2023-May
页码
1-4
会议日期
21-25 May 2023
会议地点
Monterey, CA, USA
摘要
This paper presents a fully-integrated flipped-voltage-follower-based low-dropout regulator (LDO), with proposed high-gain two-stage cross-coupled error amplifier (XCEA). Besides, the effectiveness of bypass capacitors and diversified load capacitors is discussed. Consuming $\mathbf{170}-\boldsymbol{\mu} \mathbf{A}$ quiescent current and occupying area of 0.019 mm2, the LDO features 25-MHz unity-gain bandwidth (UGB) at 20-mA load to satisfy fast response requirement in high-speed transmitter. The simulated voltage undershoot is 38.85 mV for a load transient current stepping from $\mathbf{1}\ \boldsymbol{\mu} \mathbf{A}$ to 25 mA in 50 ps with $\boldsymbol{C}_{\mathbf{L}} =\mathbf{100}\ \mathbf{pF}$. Owing to the proposed XCEA and the filter capacitor, the PSR is measured to be -41 dB at 100 kHz and -36 dB at 1 MHz.
关键词
学校署名
第一
相关链接[IEEE记录]
收录类别
WOS记录号
WOS:001038214601042
EI入藏号
20233314552527
EI主题词
Buffer amplifiers ; CMOS integrated circuits ; Electric current regulators ; Voltage regulators
EI分类号
Electric Equipment:704.2 ; Amplifiers:713.1 ; Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2 ; Control Equipment:732.1
来源库
IEEE
全文链接https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=10181630
引用统计
被引频次[WOS]:1
成果类型会议论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/553189
专题工学院_深港微电子学院
作者单位
School of Microelectronics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China
第一作者单位深港微电子学院
第一作者的第一单位深港微电子学院
推荐引用方式
GB/T 7714
Dongfan Xu,Yangyi Zhang,Zhenghao Li,et al. A Fully-Integrated LDO with Two-Stage Cross-Coupled Error Amplifier for High-Speed Communications in 28-nm CMOS[C],2023:1-4.
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