| 题名 | 一种纳米环的制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 刘召军
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN202010317602.5
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| 申请日期 | 2020-04-21
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| 公开(公告)号 | CN111453693B
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| 公开日期 | 2023-06-23
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| 授权日期 | 2023-06-23
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2023-06-23
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明实施例公开了一种纳米环的制备方法。该方法包括：在氮化镓基外延衬底上沉积出氧化膜；在所述氧化膜的表面旋涂光刻胶；基于具有预设图案的掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影以将所述光刻胶图案化，所述图案化的光刻胶包括呈阵列排布在所述氧化膜上的多个纳米级环状凸起；基于所述图案化的光刻胶对所述氧化膜进行刻蚀以将所述氧化膜图案化，所述图案化的氧化膜包括呈阵列排布在所述氮化镓基外延衬底的多个纳米级环状凸起。本发明实施例实现了简单、低成本的制备氮化镓基纳米环。 |
| 其他摘要 | 本发明实施例公开了一种纳米环的制备方法。该方法包括：在氮化镓基外延衬底上沉积出氧化膜；在所述氧化膜的表面旋涂光刻胶；基于具有预设图案的掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影以将所述光刻胶图案化，所述图案化的光刻胶包括呈阵列排布在所述氧化膜上的多个纳米级环状凸起；基于所述图案化的光刻胶对所述氧化膜进行刻蚀以将所述氧化膜图案化，所述图案化的氧化膜包括呈阵列排布在所述氮化镓基外延衬底的多个纳米级环状凸起。本发明实施例实现了简单、低成本的制备氮化镓基纳米环。 |
| CPC分类号 | B81B7/04
; B81C1/00031
; B81C1/00103
; Y02P70/50
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| IPC 分类号 | B81B7/04
; B81C1/00
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2023-06-23][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2020-04-21
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| 专利代理人 | 孟金喆
; 潘登
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| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/560987 |
| 专题 | 工学院_电子与电气工程系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
刘召军,蒋府龙,李四龙. 一种纳米环的制备方法[P]. 2023-06-23.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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