| 题名 | 纳米柱阵列及其制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 段天利
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN202010174753.X
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| 申请日期 | 2020-03-13
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| 公开(公告)号 | CN111453692B
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| 公开日期 | 2023-09-08
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| 授权日期 | 2023-09-08
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2023-09-08
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明涉及一种纳米柱阵列及其制备方法。上述纳米柱阵列的制备方法包括如下步骤：采用电子束抗蚀剂在衬底上形成抗蚀层；将抗蚀层进行曝光和显影，以在抗蚀层上曝光出多个间隔排列的直径为50nm～100nm的图案；在衬底上形成金属层，且金属层遮蔽抗蚀层，金属层的厚度至少为20nm且小于抗蚀层的厚度的三分之一；去除抗蚀层，得到具有多个间隔排列的金属图案的金属层；从衬底形成有金属层的一侧，沿垂直方向对衬底进行离子刻蚀，以使衬底上未被金属图案覆盖的区域被刻蚀，形成多个间隔的柱体；去除衬底上的金属图案，得到纳米柱阵列，纳米柱阵列包括多个间隔排列的纳米柱。上述制备方法能够使纳米柱阵列中的纳米柱直径小于50nm，高宽比大于20。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种纳米柱阵列及其制备方法。上述纳米柱阵列的制备方法包括如下步骤：采用电子束抗蚀剂在衬底上形成抗蚀层；将抗蚀层进行曝光和显影，以在抗蚀层上曝光出多个间隔排列的直径为50nm～100nm的图案；在衬底上形成金属层，且金属层遮蔽抗蚀层，金属层的厚度至少为20nm且小于抗蚀层的厚度的三分之一；去除抗蚀层，得到具有多个间隔排列的金属图案的金属层；从衬底形成有金属层的一侧，沿垂直方向对衬底进行离子刻蚀，以使衬底上未被金属图案覆盖的区域被刻蚀，形成多个间隔的柱体；去除衬底上的金属图案，得到纳米柱阵列，纳米柱阵列包括多个间隔排列的纳米柱。上述制备方法能够使纳米柱阵列中的纳米柱直径小于50nm，高宽比大于20。 |
| CPC分类号 | B81B7/04
; B81C1/00023
; B81C1/00103
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| IPC 分类号 | B81B7/04
; B81C1/00
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| INPADOC 法律状态 | （ENTRY INTO FORCE OF REQUEST FOR SUBSTANTIVE EXAMINATION）[2020-08-21][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2020-03-13
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| 专利代理人 | 单骁越
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| 代理机构 | 华进联合专利商标代理有限公司
|
| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/560991 |
| 专题 | 公共分析测试中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
段天利,张锐,王尧,等. 纳米柱阵列及其制备方法[P]. 2023-09-08.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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