| 题名 | 纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 刘召军
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN202010354234.1
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| 申请日期 | 2020-04-29
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| 公开(公告)号 | CN111430514B
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| 公开日期 | 2023-06-27
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| 授权日期 | 2023-06-27
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2023-06-27
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明实施例提供了一种纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法。该纳米柱的制备方法包括：在LED晶片的上表面蒸镀第一金属层和第二金属层，其中，LED晶片包括p型GaN层、量子阱有源层、n型GaN层和衬底，其中p型GaN层的上表面作为LED晶片的上表面，p型GaN层的下表面与量子阱有源层的上表面接触，量子阱有源层的下表面与n型GaN层的上表面接触，n型GaN层的下表面和衬底的上表面接触；对蒸镀有第一金属层和第二金属层的LED晶片进行热退火处理以形成多个掩膜，掩膜与p型GaN层形成欧姆接触；通过掩膜对LED晶片的p型GaN层、量子阱有源层和n型GaN层进行刻蚀形成多个LED纳米柱，LED纳米柱的两端用于与电极连接。达到提高纳米LED的P型欧姆接触性能的效果。 |
| 其他摘要 | 本发明实施例提供了一种纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法。该纳米柱的制备方法包括：在LED晶片的上表面蒸镀第一金属层和第二金属层，其中，LED晶片包括p型GaN层、量子阱有源层、n型GaN层和衬底，其中p型GaN层的上表面作为LED晶片的上表面，p型GaN层的下表面与量子阱有源层的上表面接触，量子阱有源层的下表面与n型GaN层的上表面接触，n型GaN层的下表面和衬底的上表面接触；对蒸镀有第一金属层和第二金属层的LED晶片进行热退火处理以形成多个掩膜，掩膜与p型GaN层形成欧姆接触；通过掩膜对LED晶片的p型GaN层、量子阱有源层和n型GaN层进行刻蚀形成多个LED纳米柱，LED纳米柱的两端用于与电极连接。达到提高纳米LED的P型欧姆接触性能的效果。 |
| CPC分类号 | H01L33/0075
; B81C1/00111
; H01L33/06
; Y02P70/50
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| IPC 分类号 | H01L33/00
; H01L33/06
; B81C1/00
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2023-06-27][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2020-04-29
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| 专利代理人 | 潘登
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| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/562893 |
| 专题 | 工学院_电子与电气工程系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
刘召军,蒋府龙,李四龙. 纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法[P]. 2023-06-27.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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