南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 中压等离子体CVD技术及其在硅-碳材料上的生长应用研究

题名	中压等离子体CVD技术及其在硅-碳材料上的生长应用研究
作者	邬苏东
发表日期	2019-11-28
会议名称	第三届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会
页码	34;1;
会议地点	中国广东东莞
摘要	高质量薄膜材料的高速、低温生长一直是工业界和学术界所追求的目标之一。高速生长是降低生产成本的基础,而低温过程能够减少对基底材料选择上的约束。然而,高速和低温是相互矛盾的,高速生长往往需要高温过程来实现沉积原子的迁移动力学过程。新型中压等离子体化学气相沉积技术(mesoplasma CVD)结合了低压等离子体和高压等离子体的优点,它不仅据具有相对适中的气体沉积通量,而且具有低的离子轰击损伤以及适当的
学校署名	第一
语种	中文
相关链接	[CNKI记录]
来源库	CNKI
成果类型	会议论文
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/56492
专题	南方科技大学
作者单位	南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	邬苏东. 中压等离子体CVD技术及其在硅-碳材料上的生长应用研究[C],2019:34;1;.