南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 低温等离子体增强化学气相沉积工艺生长SiNx薄膜的内应力研究

题名	低温等离子体增强化学气相沉积工艺生长SiNx薄膜的内应力研究
作者	宋秋明; 贾浩; 张礼博; 刘松
发表日期	2019-11-28
会议名称	第三届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会
页码	77;1;
会议地点	中国广东东莞
摘要	SiNx薄膜是一种具有优良光学性能,高介电常数,高电绝缘性,高稳定性以及良好的水氧阻隔性等优点的材料,广泛应用于微电子工艺中。SiNx薄膜制备工艺包括化学气相沉积,磁控溅射等,其中等离子体增强化学气相沉积(PECVD)应用比较广泛。但是常规的PECVD工艺生长温度需要300-400摄氏度左右,温度较高,不适合于一些需要低温生长环境的应用场景。例如应用于有机电致发光二极管(OLED)中的薄膜封装技术
学校署名	第一
语种	中文
相关链接	[CNKI记录]
来源库	CNKI
成果类型	会议论文
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/56493
专题	量子科学与工程研究院
作者单位	南方科技大学量子科学与工程研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	宋秋明,贾浩,张礼博,等. 低温等离子体增强化学气相沉积工艺生长SiNx薄膜的内应力研究[C],2019:77;1;.