| 题名 | 纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 段天利
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN201910374321.0
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| 申请日期 | 2019-05-07
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| 公开(公告)号 | CN110737171B
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| 公开日期 | 2023-12-01
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| 授权日期 | 2023-12-01
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2023-12-01
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明涉及一种纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法。该纳米图形的制备方法，包括以下步骤：在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，得到电子束抗蚀剂层；其中，电子束抗蚀剂层的厚度为50nm～110nm；及电子束抗蚀剂层进行电子束曝光，得到纳米图形，其中，电子束曝光的曝光剂量为1C/m |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法。该纳米图形的制备方法，包括以下步骤：在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，得到电子束抗蚀剂层；其中，电子束抗蚀剂层的厚度为50nm～110nm；及电子束抗蚀剂层进行电子束曝光，得到纳米图形，其中，电子束曝光的曝光剂量为1C/m |
| CPC分类号 | G03F7/0035
; B82Y40/00
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| IPC 分类号 | G03F7/00
; B82Y40/00
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2023-12-01][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
|
| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2019-05-07
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| 专利代理人 | 潘霞
; 易皎鹤
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| 代理机构 | 华进联合专利商标代理有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/639980 |
| 专题 | 公共分析测试中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
段天利,王尧,张锐,等. 纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法[P]. 2023-12-01.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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