| 题名 | 一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 王亮
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| 申请人 | 南方科技大学
; 苏州晶湛半导体有限公司
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| 当前申请人 | 南方科技大学
; 苏州晶湛半导体有限公司
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| 当前申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN201910797254.3
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| 申请日期 | 2019-08-27
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| 公开(公告)号 | CN110504937B
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| 公开日期 | 2023-09-26
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| 授权日期 | 2023-09-26
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2023-09-26
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。 |
| CPC分类号 | H03H3/02
; H03H9/02015
; H03H9/02047
; H03H9/0504
; H03H9/1007
; H03H2003/023
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| IPC 分类号 | H03H3/02
; H03H9/02
; H03H9/05
; H03H9/10
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2023-09-26][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
|
| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2019-08-27
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| 专利代理人 | 孟金喆
|
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司
|
| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/640828 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
王亮,程凯,于洪宇. 一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法[P]. 2023-09-26.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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