| 题名 | 量子点显示器件制造方法、量子点显示器件 |
| 发明人 | |
| 第一发明人 | 孙小卫
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| 申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人 | 南方科技大学
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| 第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| 当前申请人 | 南方科技大学
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| 当前申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 当前第一申请人 | 南方科技大学
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| 当前第一申请人地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| 申请号 | CN202111463607.X
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| 申请日期 | 2021-12-02
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| 公开(公告)号 | CN114388720B
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| 公开日期 | 2023-11-24
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| 授权日期 | 2023-11-24
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| 专利状态 | 授权
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| 法律状态日期 | 2023-11-24
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| 专利类型 | 授权发明
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| 学校署名 | 第一
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| 摘要 | 本申请公开了一种量子点显示器件制造方法、量子点显示器件。该方法包括：对基底层进行图案刻画，以划分发光功能区域；在基底层上以预设的第一沉积工艺将预设第一材料沉积得到金属反射层；在金属反射层上以预设的第二沉积材料将预设第二材料沉积得到透明电极层；对透明电极层以预设的刻画工艺进行图案刻画，以划分不同颜色的子像素区域；在透明电极层上以预设的第三沉积工艺沉积预设的量子点材料，得到量子发光层；在透明电极层上以预设的第四沉积工艺将预设第三材料沉积得到半透明反射层。本申请的量子点制造方法，能够实现具有高像素密度的量子点图案化显示，并且不会破坏量子点材料。 |
| 其他摘要 | 本申请公开了一种量子点显示器件制造方法、量子点显示器件。该方法包括：对基底层进行图案刻画，以划分发光功能区域；在基底层上以预设的第一沉积工艺将预设第一材料沉积得到金属反射层；在金属反射层上以预设的第二沉积材料将预设第二材料沉积得到透明电极层；对透明电极层以预设的刻画工艺进行图案刻画，以划分不同颜色的子像素区域；在透明电极层上以预设的第三沉积工艺沉积预设的量子点材料，得到量子发光层；在透明电极层上以预设的第四沉积工艺将预设第三材料沉积得到半透明反射层。本申请的量子点制造方法，能够实现具有高像素密度的量子点图案化显示，并且不会破坏量子点材料。 |
| CPC分类号 | H10K71/135
; H10K50/805
; H10K50/856
; H10K71/00
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| IPC 分类号 | H10K71/16
; H10K71/13
; H10K50/11
; H10K50/856
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| INPADOC 法律状态 | （+PATENT GRANT）[2023-11-24][CN]
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| INPADOC 同族专利数量 | 1
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| 扩展同族专利数量 | 1
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| 优先权日 | 2021-12-02
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| 专利代理人 | 洪铭福
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| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司
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| 相关链接 | [来源记录] |
| 来源库 | PatSnap
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| 成果类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/641699 |
| 专题 | 南方科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 |
孙小卫,梅冠鼎,王为高,等. 量子点显示器件制造方法、量子点显示器件[P]. 2023-11-24.
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| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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