南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 硒化锡单晶薄膜的制备方法和热电器件

题名	硒化锡单晶薄膜的制备方法和热电器件
发明人	何佳清1 ; 李锦鸿2 ; 胡明远3 ; 毛大厦4
申请号	202311023691 .2
申请日期	2023-08-14
专利状态	实质审查
专利类型	发明申请
学校署名	第一
摘要	本发明涉及一种硒化锡单晶薄膜的制备方法和热电器件。本发明提供了一种硒化锡单晶薄膜的制备方法，该方法包括将锡、硒和钠混合并封入坩埚中，将坩埚置于布里奇曼炉中的反应位置，在第一加热条件下加热，得到熔融物，其中，布里奇曼炉内包括自上至下依次设置的上温区、中温区、梯度区和下温区，所述反应位置位于梯度区的上方9mm‑11mm范围内；在第二加热条件下，将坩埚向下转移至退火位置使所述熔融物降温后退火，得到硒化锡单晶；从所述硒化锡单晶的自然解离面撕拉下硒化锡单晶薄膜。由此，采用该方法得到的硒化锡单晶薄膜具有优异的热电性能，并且其功率因子PF在室温下达到24 μW/cm· K2。
语种	中文
来源库	人工提交
成果类型	专利
条目标识符	http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/719194
专题	南方科技大学理学院_物理系
作者单位	1.南方科技大学 2.南方科技大学 3.南方科技大学 4.南方科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	何佳清,李锦鸿,胡明远,等. 硒化锡单晶薄膜的制备方法和热电器件.