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题名

Aging Behavior of Quantum Dot Light-Emitting Diodes Employing Sputtered TiO2 as the Electron Transport Layer

作者
通讯作者Ma, Jingrui; Wei Sun, Xiao
DOI
发表日期
2024
会议名称
International Conference on Display Technology, 2024
ISSN
0097-966X
EISSN
2168-0159
会议录名称
卷号
55
页码
1367
会议日期
March 31, 2024 - April 3, 2024
会议地点
Hefei, China
出版者
学校署名
第一 ; 通讯
语种
英语
收录类别
EI入藏号
20243216809975
来源库
EV Compendex
引用统计
成果类型会议论文
条目标识符http://sustech.caswiz.com/handle/2SGJ60CL/807146
专题工学院_电子与电气工程系
南方科技大学
作者单位
1.Institute of Nanoscience and Applications, Southern University of Science and Technology, Shenzhen; 518055, China
2.Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Technologies (Southern University of Science and Technology), Ministry of Education, Guangdong-Hong Kong-Macao Joint Laboratory for Photonic-Thermal-Electrical Energy Materials and Devices, and Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen; 518055, China
3.College of Mathematics, Physics and Electronic Information Engineering, Guangxi Minzu Normal University, Chongzuo; 532200, China
第一作者单位南方科技大学;  电子与电气工程系
通讯作者单位南方科技大学;  电子与电气工程系
第一作者的第一单位南方科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
Pan, Xinyi,Wei, Jiahao,Li, Depeng,et al. Aging Behavior of Quantum Dot Light-Emitting Diodes Employing Sputtered TiO2 as the Electron Transport Layer[C]:John Wiley and Sons Inc,2024:1367.
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