南方科技大学知识苑(SUSTech KC): 检索

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[1] Formation of subsurface cracks in silicon wafers by grinding 来源：Nanotechnology and Precision Engineering, 2018, 卷号: 1, 期号: 3, 页码: 172-179 作者： Jingfei，Yin; Qian，Bai; Yinnan，Li; Bi，Zhang 浏览/下载:7/0被引[WOS]:29被引[Scopus]:34影响因子:3.5期刊论文EI 评论分享收藏
[2] Density functional theory calculation of the properties of carbon vacancy defects in silicon carbide 来源：Nanotechnology and Precision Engineering, 2020, 卷号: 3, 期号: 4, 页码: 211-217 作者： Wang，Xiuhong; Zhao，Junlei; Xu，Zongwei; Djurabekova，Flyura; Rommel，Mathias; et al. 浏览/下载:11/0被引[WOS]:10被引[Scopus]:11影响因子:3.5期刊论文EI 评论分享收藏

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