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[1] Investigation of Localized States in GaAsSb Epilayers Grown by Molecular Beam Epitaxy 来源：Scientific Reports, 2016, 卷号: 6 作者： Gao, Xian; Wei, Zhipeng; Zhao, Fenghuan; Yang, Yahui; Chen, Rui; et al. Adobe \| 浏览/下载:23/0被引[WOS]:40被引[Scopus]:43影响因子:3.8期刊论文SCI 评论分享收藏
[2] Localized states emission in type-I GaAsSb/AlGaAs multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy 来源：Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 2017, 卷号: 11, 期号: 3 作者： Ge, Xiaotian; Wang, Dengkui; Gao, Xian; Fang, Xuan; Niu, Shouzhu; et al. Adobe \| 浏览/下载:20/0被引[WOS]:22被引[Scopus]:22影响因子:2.5期刊论文SCIEI 评论分享收藏