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收录类别
BKCI-S
[3]
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第一
[3]
重要成果
作者
蒋苓利
[1]
ESI学科分类
期刊来源
GALLIUM NITRIDE ...
[3]
语种
英语
[3]
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无全文
[3]
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[3]
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2017
[3]
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[1]
Conventional AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors
来源：
出自: GALLIUM NITRIDE POWER DEVICES, PENTHOUSE LEVEL, SUNTEC TOWER 3, 8 TEMASEK BLVD, SINGAPORE, 038988, SINGAPORE:
PAN STANFORD PUBLISHING PTE LTD
, 2017, 页码: 93-109
作者：
Jiang Lingli
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[2]
The Packaging Technologies for GaN HEMTs
来源：
出自: GALLIUM NITRIDE POWER DEVICES, PENTHOUSE LEVEL, SUNTEC TOWER 3, 8 TEMASEK BLVD, SINGAPORE, 038988, SINGAPORE:
PAN STANFORD PUBLISHING PTE LTD
, 2017, 页码: 261-280
作者：
Bin, Dong
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[3]
Reliability of GaN HEMT Devices
来源：
出自: GALLIUM NITRIDE POWER DEVICES, PENTHOUSE LEVEL, SUNTEC TOWER 3, 8 TEMASEK BLVD, SINGAPORE, 038988, SINGAPORE:
PAN STANFORD PUBLISHING PTE LTD
, 2017, 页码: 241-260
作者：
Xia, Pengkun
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