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转移探针、二维异质结及其制备方法和二维异质结的制备系统
来源：
专利类型: 授权发明, 申请日期: 2017-10-31, 公开日期: 2020-11-10
作者：
戴俊峰
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赵悦
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[2]
多层二硫化钼材料中能谷自由度以及谷间散射机理的研究
来源：
南京, 2017
作者：
戴俊峰
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[3]
GaSe半导体材料中电子自旋动力学研究
来源：
山西临汾, 2015
作者：
戴俊峰
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会议论文
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