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[1]
一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法
来源：
专利类型: 授权发明, 申请日期: 2019-08-22, 公开日期: 2021-10-22
作者：
田朋飞
;
闫春辉
;
林润泽
;
方志来
;
张国旗
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[2]
基于计算时域鬼成像的水下无线光通信系统及光通信方法
来源：
专利类型: 授权发明, 申请日期: 2020-11-25, 公开日期: 2022-09-02
作者：
田朋飞
;
陈新伟
;
闫春辉
;
方志来
;
张国旗
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[3]
一种氮化水平异质p-n结结构器件及其制备方法
来源：
专利类型: 授权发明, 申请日期: 2020-02-28, 公开日期: 2022-02-15
作者：
方志来
;
闫春辉
;
蒋卓汛
;
吴征远
;
田朋飞
;
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[4]
一种氧化水平异质p-n结结构器件及其制备方法
来源：
专利类型: 授权发明, 申请日期: 2020-02-28, 公开日期: 2022-02-15
作者：
方志来
;
闫春辉
;
蒋卓汛
;
吴征远
;
田朋飞
;
et al.
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[5]
一种包含p型氧化镓薄层的开关器件及其制备方法
来源：
专利类型: 授权发明, 申请日期: 2019-07-02, 公开日期: 2022-01-25
作者：
方志来
;
闫春辉
;
蒋卓汛
;
吴征远
;
田朋飞
;
et al.
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[6]
一种水下照明设备的控制方法、水下照明设备以及装置
来源：
专利类型: 授权发明, 申请日期: 2020-07-21, 公开日期: 2023-01-10
作者：
田朋飞
;
钱泽渊
;
闫春辉
;
方志来
;
张国旗
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[7]
一种微米级发光二极管芯片及制备方法
来源：
专利类型: 授权发明, 申请日期: 2019-04-24, 公开日期: 2020-10-02
作者：
田朋飞
;
闫春辉
;
周顾帆
;
方志来
;
张国旗
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[8]
一种基于柔性衬底的GaN基激光器与HEMT的器件转移制备方法
来源：
专利类型: 授权发明, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2020-09-04
作者：
田朋飞
;
闫春辉
;
钱泽渊
;
方志来
;
张国旗
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[9]
一种氧化镓纳米材料转移方法
来源：
专利类型: 授权发明, 申请日期: 2019-03-25, 公开日期: 2021-10-08
作者：
方志来
;
闫春辉
;
蒋卓汛
;
吴征远
;
田朋飞
;
et al.
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